Shaanxi BLOOM Tech Co., Ltd. és un dels fabricants i proveïdors més experimentats de pols de carbur de silici cas 409-21-2 a la Xina. Benvingut a l'engròs a granel de pols de carbur de silici d'alta qualitat cas 409-21-2 a la venda aquí des de la nostra fàbrica. Hi ha un bon servei i un preu raonable.
Pols de carbur de siliciés una substància inorgànica amb la fórmula química SiC, CAS 409-21-2. Es fa mitjançant la fosa a alta temperatura de matèries primeres com ara sorra de quars, coc de petroli (o coc de carbó) i serradures (cal afegir sal quan es produeix carbur de silici verd) mitjançant un forn de resistència. És un semiconductor que existeix en forma de moissanita mineral extremadament rar a la natura. Des de 1893, es produeix a gran escala com a pols i cristalls, utilitzats com a abrasius, etc. Entre els materials refractaris d'alta tecnologia no òxids com C, N i B, és el més utilitzat i econòmic, que es pot anomenar sorra d'acer o sorra refractària. El producte produït per la indústria xinesa es divideix en dos tipus: carbur de silici negre i carbur de silici verd, tots dos cristalls hexagonals.
|
|
|
|
Fórmula química |
C40H68Si |
|
Missa exacta |
577 |
|
Pes molecular |
577 |
|
m/z |
577 (100.0%), 578 (43.3%), 579 (9.1%), 578 (5.1%), 579 (3.3%), 579 (2.2%), 580 (1.4%) |
|
Anàlisi elemental |
C, 83,26; H, 11,88; Si, 4,87 |
SiC és un material semiconductor compost binari típic, amb la unitat bàsica de la seva estructura cristal·lina que és un tetraedre simètric quàdruple, és a dir, SiC4 o CSi4. La distància entre els àtoms de Si o C adjacents és de 3,08 Å, mentre que la distància entre els àtoms de C i Si adjacents és només d'uns 1 Å 89 Å. [13] En els cristalls de SiC, els àtoms de Si i C formen enllaços covalents tetraèdrics molt forts (energia d'enllaç de 4,6 eV) compartint parells d'electrons en orbitals hibridats sp3.
|
|
|
El carbur de silici pur és un cristall incolor i transparent. El carbur de silici industrial apareix com a groc clar, verd, blau o fins i tot negre segons el tipus i contingut d'impureses que conté, i la seva transparència varia amb la seva puresa. L'estructura cristal·lina del carbur de silici es divideix en hexagonal o romboèdric - SiC i cúbic - SiC (conegut com a carbur de silici cúbic). A causa de les diferents seqüències d'apilament d'àtoms de carboni i silici a la seva estructura cristal·lina, - SiC forma moltes variants diferents, i se n'han descobert més de 70. - SiC es transforma en - SiC per sobre de 2100 graus . - SiC és la forma cristal·lina més comuna, mentre que {{11} cúbic també pertany al sistema cúbic, conegut com a sistema cúbic. carbur de silici. Fins ara, l'ús comercial de - SiC ha estat relativament limitat, tot i que es pot utilitzar com a portador de catalitzadors heterogenis a causa de la seva superfície més gran en comparació amb - SiC. El mètode de producció industrial de carbur de silici és refinar sorra de quars{16}}d'alta qualitat i coc de petroli en un forn de resistència. Els blocs de carbur de silici refinat es transformen en productes de diferents mides de partícules mitjançant trituració, rentat àcid-base, separació magnètica, cribratge o selecció d'aigua.
El carbur de silici té quatre àrees d'aplicació principals, a saber: ceràmica funcional, materials refractaris avançats, abrasius i matèries primeres metal·lúrgiques. Els materials gruixuts de carbur de silici ja es poden subministrar en grans quantitats i no es poden considerar productes d'alta-tecnologia, mentre que l'aplicació de nanoescalapols de carbur de siliciamb un contingut tecnològic extremadament alt no pot generar economies d'escala a curt termini.
Aplicació principal: s'utilitza per al tall de filferro de silici monocristal·lí de 3-12 polzades, silici policristalí, arsenur de potassi, cristalls de quars, etc. Materials de processament d'enginyeria per a la indústria solar fotovoltaica, la indústria de semiconductors i la indústria de cristalls piezoelèctrics.
S'utilitza en camps com ara semiconductors, parallamps, components de circuits, aplicacions d'alta -temperatura, detectors d'ultraviolats, materials estructurals, astronomia, frens de disc, embragatges, filtres de partícules dièsel, piròmetres de fil fi, pel·lícules ceràmiques, eines de tall, elements de calefacció, combustibles nuclears, joies, acer, equips de protecció, etc.
Eines abrasives i de rectificat:
S'utilitza principalment per a la mòlta i poliment de moles, papers de vidre, cinturons de sorra, pedres d'oli, blocs de mòlta, capçals de mòlta, pastes de mòlta, així com silici monocristal·lí, silici policristalí i cristalls piezoelèctrics a la indústria electrònica per a productes fotovoltaics.
Indústria química:
Es pot utilitzar com a desoxidant per a la fabricació d'acer i com a modificador per a l'estructura de ferro colat. També es pot utilitzar com a matèria primera per a la fabricació de tetraclorur de silici i és la principal matèria primera per a la indústria de la resina de silicona.
El desoxidant de carbur de silici és un nou tipus de desoxidant compost fort que substitueix la pols de silici tradicional i la pols de carboni per a la desoxidació. En comparació amb el procés original, té propietats físiques i químiques més estables, bon efecte de desoxidació, temps de desoxidació reduït, estalvi d'energia, millora de l'eficiència de fabricació d'acer, millora de la qualitat de l'acer, reducció del consum de matèries primeres i auxiliars, reducció de la contaminació ambiental, millora de les condicions de treball i millora dels beneficis econòmics integrals dels forns elèctrics, tots els quals tenen un valor important.
Material conductor tèrmic:
La conductivitat tèrmica dels materials de SiC, com la majoria de sòlids dielèctrics, està influenciada principalment per la transmissió d'ones termoelàstiques (conegudes com a fonons). La conductivitat tèrmica dels materials de SiC depèn principalment de: 1) la quantitat d'ajudes de sinterització, la relació estequiomètrica, les propietats químiques i el gruix i la cristalinitat del límit de gra relacionats; 2) Mida del gra; 3) Tipus i concentracions d'àtoms d'impuresa en cristalls de SiC; 4) Atmosfera de sinterització; 5) Tractament tèrmic després de la sinterització, etc.
El SiC té excel·lents propietats, com ara una alta conductivitat tèrmica, un ampli interval de banda, una alta taxa de migració de saturació d'electrons i un camp elèctric de ruptura crític elevat.
El seu excel·lent rendiment complet compensa les deficiències dels materials i dispositius semiconductors tradicionals en aplicacions pràctiques, i té àmplies perspectives d'aplicació en camps com els vehicles elèctrics i els xips de comunicació mòbil. A causa de la seva major fiabilitat, temperatura de funcionament més alta, mida més petita i tolerància de tensió més alta, el SiC es pot aplicar a dispositius d'alimentació com ara plaques d'accionament principals, carregadors de cotxes i mòduls d'alimentació, millorant considerablement l'eficiència i augmentant la gamma de vehicles elèctrics. Al mateix temps, el SiC té una bona conductivitat tèrmica i l'ús de dispositius de potència de semiconductors SiC pot reduir la mida de la bateria i convertir l'energia de manera més eficaç, reduint així el cost dels dispositius de muntatge. La ceràmica de SiC, com a material ceràmic estructural d'alt rendiment-, té excel·lents propietats tèrmiques i es pot utilitzar àmpliament en indústries de resistència a altes temperatures, calefacció i intercanvi de calor.
Tres materials resistents:
Mitjançant l'ús de les característiques de resistència a la corrosió, resistència a alta temperatura, alta resistència, bona conductivitat tèrmica i resistència a l'impacte del carbur de silici, es pot utilitzar per a diversos revestiments de forns de fosa, components de forn d'alta -temperatura, plaques de carbur de silici, revestiments, suports, cullerots, gresols de carbur de silici, etc.
D'altra banda, els materials d'escalfament indirecte d'alta-temperatura es poden utilitzar a la indústria de fosa de metalls no{-ferrosos, com ara forns de destil·lació verticals, safates de forns de destil·lació, dipòsits d'electròlisi d'alumini, revestiments de forn de fusió de coure, plaques d'arc per a forns de pols de zinc, tubs de protecció de termoparells, etc.; S'utilitza per produir materials ceràmics avançats de carbur de silici que siguin resistents al desgast-, a la corrosió- i a les altes-temperaturas; També es pot utilitzar per fer broquets de coets, pales de turbines de gas, etc. A més, el carbur de silici també és un dels materials ideals per als escalfadors d'aigua solars a les carreteres, les pistes d'avions, etc.
Acer:
Mitjançant l'ús de les característiques de resistència a la corrosió, resistència al xoc tèrmic, resistència al desgast i bona conductivitat tèrmica del carbur de silici, el seu ús en el revestiment d'alts forns gran ha millorat la seva vida útil.
Beneficis metal·lúrgics:
Pols de carbur de silicité una duresa superada només al diamant i té una forta resistència al desgast. És un material ideal per a canonades-resistents al desgast, impulsors, cambres de bombes, ciclons i revestiments de tremuja de mineria. La seva resistència al desgast és de 5 a 20 vegades més llarga que la del ferro colat i el cautxú, i també és un dels materials ideals per a les pistes d'aviació.
Conservació d'energia:
Utilitzant una bona conductivitat tèrmica i estabilitat com a intercanviador de calor, el consum de combustible es redueix en un 20%, el combustible s'estalvia un 35% i la productivitat augmenta entre un 20 i un 30%.
La mida i la composició de les partícules abrasives han de complir amb GB/T2477-83. El mètode per determinar la composició de la mida de partícules dels abrasius ha de complir amb GB/T2481-83.
Joieria:
La moissanita sintètica, també coneguda com a moissanita sintètica o sílice de carboni sintètica (composició química SiC), té una dispersió de 0,104, que és més gran que el diamant (0,044) i un índex de refracció de 2,65-2,69 (2,42 per al diamant). Té la mateixa brillantor de diamant que el diamant i un "color de foc" més fort, més proper al diamant que qualsevol rèplica anterior.
La història del desenvolupament depols de carbur de silicimaterials de cristall ha estat més de cent anys. El 1892, Acheson va inventar un mètode per sintetitzar pols de SiC utilitzant diòxid de silici i carboni. En aquest mètode, es va descobrir un subproducte, que era un material-com una làmina de SiC. No obstant això, aquests materials-com SiC de fulla tenien una puresa baixa i una mida reduïda, i no es podien utilitzar per preparar dispositius semiconductors. Fins a 1955, Lel va fer créixer amb èxit cristalls de SiC relativament purs mitjançant la tecnologia de sublimació, també coneguda com el mètode Lely. Tanmateix, a causa de la petita mida i les diferències significatives de rendiment dels materials de làmines de SiC preparats pel mètode Lely, no es pot convertir en una tecnologia comercial per al creixement de cristalls simples de SiC.
Durant el període 1978-1981, Tarov i Tsvetkov van fer millores basant-se en el mètode Lely introduint un cristall de llavors al forn de sublimació i dissenyant un gradient de temperatura adequat basat en consideracions termodinàmiques i cinètiques per controlar el transport de material des de la font de SiC fins al cristall de llavors. Aquest procés de creixement s'anomena mètode Lely millorat, també conegut com a mètode de sublimació de cristall de llavors o mètode de transferència física de vapor (PVT). Les persones poden obtenir cristalls de SiC amb diàmetres més grans i menor densitat de defectes mitjançant aquest mètode. Amb la millora contínua de la tecnologia de creixement, les empreses que han aconseguit la industrialització mitjançant aquest mètode inclouen Cree dels Estats Units Dowcorning, SiCrystal d'Alemanya, Nippon Steel del Japó i Shandong Tianyue i Tianke Heda de la Xina.
A causa del seu baix contingut natural, el carbur de silici és principalment artificial. El mètode comú és barrejar sorra de quars amb coc, utilitzar-hi diòxid de silici i coc de petroli, afegir sal i serradures, col·locar-la en un forn elèctric, escalfar-la a una temperatura alta d'uns 2000 graus C i obtenir micro pols de carbur de silici mitjançant diversos processos químics.
El carbur de silici (SiC) s'ha convertit en un abrasiu important a causa de la seva alta duresa, però el seu rang d'aplicació supera el dels abrasius generals. Per exemple, la seva alta resistència a la temperatura i conductivitat tèrmica el converteixen en un dels materials de forn preferits per a forns túnel o llançadora, i la seva conductivitat el converteix en un element de calefacció elèctric important.
El primer pas per preparar productes de SiC és preparar blocs de fosa de SiC, també coneguts com a partícules de SiC. A causa de la presència de C i superdur, les partícules de SiC abans es van anomenar sorra de diamant. Tanmateix, cal tenir en compte que la seva composició és diferent de la de la sorra de diamant natural (pedra de magrana). En la producció industrial, els blocs de fosa de SiC es fan normalment a partir de matèries primeres com el quars i el coc de petroli, amb materials de recuperació auxiliars i materials de rebuig. Després de la mòlta i altres processos, es barregen en materials del forn amb proporcions raonables i mides de partícules adequades (per tal d'ajustar la permeabilitat dels materials del forn, cal afegir una quantitat adequada de serradures i, quan es prepara carbur de silici verd, cal afegir una quantitat adequada de sal) i es preparen a altes temperatures.
L'equip tèrmic per a la preparació d'alta-temperatura de blocs de fosa de SiC és un forn elèctric especialitzat de carbur de silici, que consta d'un fons del forn, parets finals amb elèctrodes incrustats a la superfície interior, parets laterals desmuntables i un cos del nucli del forn (nom complet: l'element calefactor carregat elèctricament al centre del forn elèctric, normalment amb l'element de calefacció instal·lat al centre de la furna elèctrica al centre del gràfic del forn). pols o coc de petroli d'una determinada forma i mida, generalment circular o rectangular. Els seus dos extrems estan connectats als elèctrodes). El mètode de cocció utilitzat en aquest forn elèctric es coneix comunament com a cocció en pols enterrada. Tan bon punt està encès, comença la calefacció. La temperatura del nucli del forn és d'uns 2500 graus, o fins i tot superior (2600-2700 graus).
Quan la càrrega del forn arriba als 1450 graus, comença la síntesi de SiC (però SiC es forma principalment a una temperatura superior o igual a 1800 graus) i s'allibera CO. Tanmateix, quan la temperatura és superior o igual a 2600 graus, el SiC es descompondrà i el Si descompost reaccionarà amb el C de la càrrega del forn per formar SiC. Cada grup de forns elèctrics està equipat amb un conjunt de transformadors, però durant la producció, només es subministra energia a un sol forn elèctric per tal d'ajustar la tensió segons les característiques de la càrrega elèctrica per mantenir una potència bàsicament constant. Els forns elèctrics d'alta potència s'han d'escalfar durant unes 24 hores i, després d'un tall d'energia, la reacció per generar SiC s'ha completat bàsicament. Després d'un període de refredament, es poden eliminar les parets laterals i, a continuació, es poden eliminar gradualment els materials del forn.
Després de la calcinació a -alta temperatura, els materials del forn de l'exterior a l'interior són els següents:
Material no reaccionat (que serveix com a aïllament al forn), carbur de silici d'oxigen (material semi reactiu, compost principalment per C i SiO), capa d'unió (una capa de material estretament unida, composta principalment per C, SiO2, 40% ~ 60% SiC i carbonats de Fe, Al, Ca, Mg), que és una capa amorfa, principalment composta de 90% SiO2 cúbica. SiC o - SiC, i la resta són carbonats de C, SiO2, Fe, A1, Ca, Mg) i una capa de SiC de segon grau (composta principalment per 90% ~ 95% SiC, que ha format SiC hexagonal, però els cristalls són petits i fràgils). No es pot utilitzar com a abrasiu), SiC de primer grau (contingut de SiC).<96%, and it is a coarse crystal of hexagonal SiC or α - SiC), and furnace core graphite.
A les capes de materials-esmentades anteriorment, els materials no reaccionats i una part dels materials de la capa de carbur de silici d'oxigen es recullen normalment com a materials gastats, mentre que una altra part dels materials de la capa de carbur de silici d'oxigen es recull juntament amb materials amorfs, productes secundaris i alguns materials d'enllaç com a materials reciclats. Alguns materials d'unió que estan estretament units, tenen grans mides de bloc i contenen moltes impureses es llencen. Els productes de primer grau se sotmeten a classificació, trituració gruixuda, trituració fina, tractament químic, assecat i cribratge i separació magnètica per convertir-se en partícules SiC negres o verdes de diverses mides de partícules. Per produir micropols de carbur de silici,pols de carbur de silicitambé ha de passar per un procés de selecció d'aigua; Per fer productes de carbur de silici, també han de passar pels processos d'emmotllament i sinterització.
Preguntes freqüents
Per a què serveix el carbur de silici?
+
-
Històricament, els fabricants utilitzen carbur de silici en configuracions d'alta-temperatura per a dispositius com ara coixinets, components de maquinària de calefacció, frens de cotxes i fins i tot eines per esmolar ganivets. En aplicacions d'electrònica i semiconductors, els principals avantatges de SiC són: Alta conductivitat tèrmica de 120-270 W/mK.
És segur tocar el carbur de silici?
+
-
* El carbur de silici pot irritar els ulls i el nas en contacte. * Hi ha proves limitades que el carbur de silici provoca càncer en animals. Pot causar càncer de pulmó. * Molts científics creuen que no hi ha un nivell segur d'exposició a un carcinogen.
Per què és tan car el carbur de silici?
+
-
D'acord, què fa que l'hòstia de carbur de silici sigui tan cara? Principalment es redueix a quatre grans coses. El grafit, el material que ho manté unit tot en el cristall de llavors de Furness, l'ADN del postprocessament de l'hòstia, tot el tall, el poliment i la neteja que converteix el cristall cru en alguna cosa utilitzable.
Etiquetes populars: pols de carbur de silici cas 409-21-2, proveïdors, fabricants, fàbrica, venda a l'engròs, compra, preu, a granel, en venda