Borat de zirconiés una substància química amb la fórmula molecular de Zrb2. Propietat de cristall gris en pols. El borat de zirconi té tres components, a saber, el borat de zirconi, el diBorur de zirconi i el tribromur de zirconi. Només el diborur de zirconi és estable en un ampli rang de temperatura i resistent a les temperatures altes. Té alta resistència a temperatura ambient i alta temperatura. Bona resistència al xoc de calor, baixa resistència, resistència a l’oxidació a alta temperatura. El diBoride de zirconi s'utilitza principalment en la producció industrial. El diboride de zirconi és un cristall hexagonal, un cristall gris o una pols, amb una densitat relativa de 5,8 i un punt de fusió de 3040 graus. Resistència a alta temperatura, alta resistència a temperatura ambient i alta temperatura. Bona resistència al xoc de calor, baixa resistència, resistència a l’oxidació a alta temperatura. El punt de fusió és d’uns 3000 graus. Amb brillantor metàl·lic.
|
Morfològic |
pols |
|
Punt de fusió |
3100-3500 grau C |
|
RTECS núm. |
ZH7150000 |
|
Densitat |
6,1 g\/cm3 |
|
Condicions d'emmagatzematge |
- 20 grau C |
|
solubilitat |
És soluble en aigua |
|
|
|
Descripció de perill H228, precaucions p 210- p 240- p 241- p 280- p 370+ p378a, Signe de mercaderies perilloses XN, Codi de perillositat 20\/22, instruccions de seguretat 36, mercaderies perilloses No. un3178, wgk Germany 3, TSCA Sí, perill de perill 4.1, Packinggroup III
Propietats físiques i químiques del zirconium borid: el zirconi borid té tres components, és a dir, diBorur de zirconi, diBorur de zirconi i tribromur de zirconi. Només el diborur de zirconi és estable en un rang de temperatura ampli. El diBoride de zirconi s'utilitza principalment en la producció industrial. El diboride de zirconi és una forma de cristall hexagonal, cristall o pols gris, i el punt de fusió és de 3040 graus. Resistència a alta temperatura, alta resistència a temperatura ambient i alta temperatura. Bona resistència al xoc de calor, baixa resistència, resistència a l’oxidació a alta temperatura. El punt de fusió és d’uns 3000 graus. Amb brillantor metàl·lic. És metàl·lic. La resistència és lleugerament inferior a la del zirconi. És estable en un rang de temperatura gran després de la calefacció. Tot i que el punt de fusió és alt, es pot sinisperat a una temperatura més baixa. Es prepara barrejant zirconi amb carbur de bor i nitrur de bor i escalfant -lo fins a 2000 graus en el flux de gas d’argó.
El zirconium borid (Zrb2) és un material d’alta tecnologia amb propietats físiques i químiques úniques, caracteritzat per un punt de fusió elevat, alta duresa, alta resistència, bona conductivitat elèctrica i tèrmica, resistència a l’oxidació i estabilitat química.
Fabricació de components d’alta temperatura per a naus espacials:
Amb el desenvolupament d’avions moderns cap a alta velocitat, alta altitud, alta empenta i una major seguretat, s’han presentat requisits més elevats per a materials d’alta temperatura. En entorns extrems com ara el vol hipersònic a llarg termini, el vol atmosfèric creuat i els sistemes de propulsió de coets, diverses parts o components clau dels avions, com ara els cons del nas, les vores de les ales i els extrems calents del motor, no només necessiten poder resistir temperatures altes (superiors a 2000 graus), sinó que també requereixen anti-oxidació, anti-erosió i propietats de xoc antigual. Els materials ceràmics ZRB2, com un dels materials importants de temperatura ultra-alta, tenen un paper crucial en la fabricació d’aquests components d’alta temperatura.
A causa del seu alt punt de fusió (aproximadament 3246 graus), ZRB2 pot mantenir propietats físiques i químiques estables en ambients d’alta temperatura extrems sense fondre ni deformació. Mentrestant, la seva gran resistència i rigidesa permeten als components fabricats suportar l’enorme pressió i l’estrès generat durant el vol. Per exemple, en els impulsors del motor de coets, el material ZRB2 es pot utilitzar per fabricar components crítics d’alta temperatura, garantint un funcionament estable del motor en entorns de treball d’alta temperatura i d’alta pressió i millorant la fiabilitat i el rendiment del coet.
Components del sistema anti -propulsió del vaixell espacial
ZRB2 es pot utilitzar per fabricar components per a la propulsió inversa en els vaixells espacials. Durant el procés de propulsió inversa d’una nau espacial, els components han de ser capaços de suportar l’impacte del flux d’aire d’alta temperatura i d’alta velocitat. La resistència i la resistència a l’oxidació de Zrb2 la converteixen en una elecció ideal. Pot fabricar components com ara broquets anti-propulsió resistents a alta temperatura i resistents al desgast, garantint l'estabilitat i la seguretat dels vaixells espacials durant el procés anti-propulsió. Aquests components són capaços de fer un funcionament a llarg termini en entorns d’alta temperatura, reduint el desgast i danys, ampliant la vida útil de la nau espacial i disminuir el cost de les missions espacials.
Sistema de protecció tèrmica de la nau espacial:
Quan la nau espacial entri a l’atmosfera, experimentaran una fricció severa amb l’aire, generant temperatures extremadament altes, cosa que suposa un greu repte per al sistema de protecció tèrmica de la nau espacial. ZRB2 es pot utilitzar per fabricar recobriments o components de protecció tèrmica per a naus espacials, bloquejant eficaçment la transferència de calor a alta temperatura i protegir la seguretat dels equips i el personal de la nau espacial. Les seves excel·lents propietats antioxidants poden evitar que el recobriment s’oxidi a temperatures altes, mantenint així el rendiment estable de protecció tèrmica. Per exemple, a la vora principal de les ales i el con del nas de la llançadora espacial, el material de protecció tèrmica ZRB2 pot suportar la temperatura alta durant la reentrada a l’atmosfera, garantint el retorn segur de la llançadora espacial a la Terra.
Components estructurals de la nau espacial:
A més dels components d’alta temperatura, ZRB2 també es pot utilitzar per fabricar altres components estructurals de la nau espacial. A causa de la seva alta resistència i baixa densitat, els components estructurals fets de ZRB2 poden reduir el pes de la nau espacial alhora que garanteix la força. Això és molt important per a la nau espacial, ja que la reducció del pes pot reduir els costos de llançament i millorar la capacitat de càrrega útil de la nau espacial. Per exemple, en el marc estructural d’alguns satèl·lits petits o sondes espacials, l’ús de material ZRB2 pot millorar el rendiment i la fiabilitat generals del satèl·lit.
Embalatge d'equips electrònics de la nau espacial:
Els dispositius electrònics de la nau espacial han de funcionar de manera estable en ambients espacials durs, inclosos els efectes de la temperatura alta, la baixa temperatura, la radiació i altres factors. ZRB2 té una bona conductivitat elèctrica i tèrmica, així com estabilitat química, i es pot utilitzar com a material d’envasament per fabricar dispositius electrònics. Pot protegir eficaçment els components electrònics de la interferència i els danys ambientals externs, alhora que es dissipa puntualment la calor generada per components electrònics per assegurar el funcionament normal dels dispositius electrònics. Per exemple, en alguns sensors i sistemes de control de les naus espacials d’alta precisió, els materials d’encapsulació ZRB2 poden proporcionar una protecció fiable, garantint la precisió i l’estabilitat dels equips.
Aplicació de borur de zirconi en materials semiconductors
Additiu de material semiconductor:
ZRB2 es pot utilitzar com a additiu en materials de semiconductors per millorar el seu rendiment. En el procés de preparació d'alguns materials semiconductors, afegir una quantitat adequada de Zrb2 pot millorar les propietats elèctriques, tèrmiques i mecàniques dels materials. Per exemple, en la preparació de dispositius semiconductors d’alta potència, l’addició de ZRB2 pot millorar la conductivitat tèrmica del material semiconductor, millorar la capacitat de dissipació de calor del dispositiu i, per tant, millorar l’estabilitat i la fiabilitat del funcionament del dispositiu. Mentrestant, ZRB2 també pot millorar l'estructura de cristall dels materials semiconductors, reduir els defectes i les impureses, millorar la mobilitat del transportista i millorar el rendiment elèctric dels dispositius.
Material d’elèctrodes transparents:
ZRB2 es pot utilitzar per fabricar elèctrodes transparents amb alta transmissió d’infrarojos. En alguns dispositius especials de semiconductors, com ara detectors d’infrarojos, díodes que emeten llum infraroja, etc., cal que els elèctrodes transparents tinguin una bona transmitància d’infrarojos de manera que la llum infraroja pugui entrar o emetre sense problemes des de l’interior del dispositiu a través dels elèctrodes. Els elèctrodes transparents ZRB2 tenen una alta conductivitat i una bona transmitància d’infrarojos, que poden complir els requisits d’aquests dispositius. Pot transmetre efectivament senyals elèctrics alhora que redueix l’absorció i el reflex de la llum infraroja, millorant la sensibilitat i el rendiment del dispositiu. Per exemple, en la tecnologia d’imatge tèrmica d’infrarojos, els detectors d’infrarojos que utilitzen elèctrodes Zrb2 transparents poden capturar amb més precisió els senyals d’infrarojos, millorant la claredat i la resolució de la imatge tèrmica.
Material d’elèctrodes del condensador:
ZRB2 també es pot utilitzar per fabricar elèctrodes de condensador d’alta capacitat. En els dispositius electrònics, els condensadors són components d’emmagatzematge d’energia importants i el seu rendiment afecta directament l’estabilitat i la fiabilitat dels dispositius electrònics. ZRB2, com a material d’elèctrode per als condensadors, té una superfície específica elevada i una bona conductivitat, cosa que pot augmentar el valor de capacitança dels condensadors. Al mateix temps, la seva estabilitat química pot assegurar l’estabilitat del rendiment del condensador durant l’ús a llarg termini, i no és propensa a problemes com la fuga i la ruptura. Per exemple, en alguns circuits electrònics d’alt rendiment, els condensadors que utilitzen elèctrodes ZRB2 poden proporcionar una tensió i un corrent més estables, millorant el rendiment global del circuit.
Material termoelèctric:
ZRB2 té la propietat de convertir l’energia tèrmica en energia elèctrica i es pot utilitzar com a material termoelèctric al camp semiconductor. En alguns ambients amb grans diferències de temperatura, com ara algunes parts de les naus espacials, sistemes de recuperació de calor de residus industrials, etc., els materials termoelèctrics ZRB2 poden utilitzar diferències de temperatura per generar electricitat, aconseguint la recuperació i la utilització d’energia. La seva alta conductivitat tèrmica i la seva conductivitat elèctrica donen lloc a una alta eficiència de conversió termoelèctrica, proporcionant un suport de potència estable per a dispositius electrònics. Per exemple, la instal·lació de mòduls termoelèctrics ZRB2 entre determinats components d’alta temperatura i baixa temperatura d’una nau espacial pot convertir la calor generada pels components d’alta temperatura en energia elèctrica, proporcionant energia a petits dispositius electrònics de la nau espacial i reduint la confiança en fonts d’alimentació externes.
Materials de pel·lícula fina semiconductors:
Borur de zirconiEs pot utilitzar per preparar materials de pel·lícula fina de semiconductors. Les pel·lícules primes de Zrb2 es poden dipositar sobre substrats mitjançant tècniques com la deposició de vapor físic (PVD) i la deposició de vapor químic (CVD). Les pel·lícules primes ZRB2 tenen propietats elèctriques i òptiques úniques i es poden utilitzar per fabricar diversos dispositius de semiconductors. Per exemple, en la fabricació de transistors d’efecte de camp (FETS), les pel·lícules primes Zrb2 es poden utilitzar com a materials de porta per regular la conductivitat del transistor. A més, també es poden utilitzar pel·lícules primes de ZRB2 per fabricar dispositius optoelectrònics com fotodetectors i cèl·lules solars, utilitzant les seves propietats de conversió fotoelèctrica per aconseguir la conversió mútua d’energia lleugera i energia elèctrica.
Components resistents a la temperatura dels dispositius semiconductors
Durant el funcionament de dispositius semiconductors, de vegades es generen temperatures altes, que requereixen components resistents a alta temperatura per assegurar el funcionament normal dels dispositius. ZRB2, a causa del seu alt punt de fusió i excel·lent estabilitat a alta temperatura, es pot utilitzar per fabricar components resistents a alta temperatura per a dispositius de semiconductors, com ara bases d’envasos i marcs de plom. Aquests components poden mantenir la mida i el rendiment estables en entorns d’alta temperatura, garantint connexions fiables i rendiment elèctric entre dispositius semiconductors i altres components. Per exemple, en alguns làsers de semiconductors d’alta potència, la base d’envasos feta de ZRB2 pot suportar l’alta temperatura generada durant l’operació làser, protegir el xip làser dels danys i millorar la vida útil i l’estabilitat del làser.
Materials auxiliars en procés de fabricació de semiconductors:
ZRB2 també es pot utilitzar com a material auxiliar en el procés de fabricació de semiconductors. Per exemple, en processos com el gravat i la deposició, ZRB2 es pot utilitzar com a material de màscara o material de capa protectora. La seva alta duresa i estabilitat química poden protegir el substrat de semiconductors de l’erosió química i els danys físics durant el procés, alhora que s’assegura la precisió i la precisió del procés. A més, ZRB2 també es pot utilitzar per fabricar alguns components clau en equips de fabricació de semiconductors, com ara elements de calefacció, elèctrodes, etc., per millorar el rendiment i la fiabilitat dels equips.
Som el proveïdor deBorur de zirconi.
La pols de borat de zirconi sintètic es prepara principalment per la reducció carbotèrmica de la pols de Zro2 i el negre de carboni o la pols de grafit. L’equació de reacció és:
3Zro 2+ B4C +8 C+B2O3 ＝ 3Zrb 2+9 Co ↑
El procés de reacció anterior pertany al tipus de reacció sòlid sòlid i el procés de reacció està controlat per la difusió del material. L’inconvenient d’aquest mètode és que la pols de zirconia i el negre de carboni o la pols de grafit es barregen desigualment i l’activitat de carbó o en pols de grafit de carboni és baixa, cosa que fa que la reducció de la zirconia sigui incompleta i es converteixi en la impuresa del producte. A més, la pols de carboni negre o grafit que queda a la pols de borat de zirconi té una activitat baixa, de manera que es requereix una temperatura més alta (superior a 600 graus) durant la descarburització per eliminar el monòxid de carboni o el diòxid de carboni generat per C a l’atmosfera d’oxidació. Com més gran sigui la temperatura, més gran és el contingut d’oxigen en pols, donant lloc a una disminució de la massa de pols de borat de zirconi.
Observació: Bloom Tech (des del 2008), Achieve-Tech és la nostra filial de nosaltres.
Etiquetes populars: Zirconium Boride Cas 12045-64-6, proveïdors, fabricants, fàbrica, a l'engròs, compra, preu, a granel, a la venda